低温高密度等离子体的形成及其在硅薄膜生长中的应用
基本信息
批准号：10175030
项目类别：面上项目
资助金额：19.00
负责人：贺德衍
学科分类：
依托单位：兰州大学
批准年份：2001
结题年份：2004
起止时间：2002-01-01 - 2004-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：杨映虎,蔡让歧,王文武,程文娟,李亚丽,贾海军
关键词：
多晶硅薄膜快速生长低温高密度等离子
结项摘要
本项目拟研究在电感耦合射频等离子体系统中硅烷和氢气的低压低温高密度等离子体的形成,测量不同等离子体条件下电子和离子的温度、密度及其空间分布、能量分布函数，探讨等胱犹宓男灾视牍璞∧どに俾省⒔峋е柿康墓叵怠Ｔ?350°C的温度下以>30A°/S的速率制备出纯相多晶硅薄膜，为多晶硅薄膜在大面积器件中的应用提供有价值的材料参数。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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