SOI基高速、窄谱带响应长波长Ge光电探测器研究
基本信息
批准号：60676027
项目类别：面上项目
资助金额：27.00
负责人：李成
学科分类：
依托单位：厦门大学
批准年份：2006
结题年份：2009
起止时间：2007-01-01 - 2009-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：陈松岩,赖虹凯,徐剑芳,张永,周志文,陈荔群
关键词：
SOI锗探测器波导窄谱带响应共振腔
结项摘要
绝缘体上硅（SOI）基片是光子器件和微电子器件集成的理想平台。本项目利用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)系统，通过对激光辅助低温驰豫缓冲层生长工艺和动力学过程的研究，优化SOI基SiGe和Ge低温驰豫缓冲层的生长方案。通过SOI衬底上薄层单晶硅释放部分应力，抑制由于Si/Ge晶格失配产生的位错向上传播，将其压制在缓冲层与衬底界面附近，然后在SOI缓冲层上生长出低位错密度纯Ge薄膜。在此基础上
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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