利用硅等半导体中注入一定剂量的氢等离子后在随后的热处理过程中将在半导体中形成埋层纳米孔层的原理,结合低温键合技术,可使一薄层的半导体膜转移到另一衬底上形成多层结构。本申请研究这种智能剥离技术,制备实用的GaAs/Si等异质结构材料和Si/CoSi2/Si等SOM材料,以及这些材料特殊的质量表征技术。这项研究开拓了一种新的异质结构材料制备方ā
{{i.achievement_title}}
数据更新时间:2023-05-31
演化经济地理学视角下的产业结构演替与分叉研究评述
一种光、电驱动的生物炭/硬脂酸复合相变材料的制备及其性能
基于二维材料的自旋-轨道矩研究进展
惯性约束聚变内爆中基于多块结构网格的高效辐射扩散并行算法
物联网中区块链技术的应用与挑战
GaAs/Si异质结构相位调制器研究
LiTaO3/Si结构的智能剥离(Smart-cut)研究
Si基GaAs材料制备技术及其在太阳电池中的应用
Si-GaP异质结构的制备和界面特性研究