垂直梯度凝固技术生长优质半绝缘砷化镓单晶研究

基本信息
批准号:69776002
项目类别:面上项目
资助金额:12.00
负责人:杜立新
学科分类:
依托单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
批准年份:1997
结题年份:2000
起止时间:1998-01-01 - 2000-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:谈惠祖,汪乐,莫培根,赵福川,吴剑萍
关键词:
半绝缘砷化镓垂直梯度凝固法单晶生长
结项摘要

本项目在垂直梯度凝固技术生长优质半绝缘砷化镓单晶做了大量的基础性,开创性的工作,取得了较好的结果。尤其是在热场设计、氧化硼脱水工艺、坩埚外型设计、引晶技术、脱埚技术方面都有所突破,成晶率、成品率都有很大的提高,所生长的半绝缘砷化镓单晶电阻率、迁移率、位错均达到国内最好水平。用户反映较好,现已具有批量生产能力。该技术已转郑州长城铝业从鑫股份公司。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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