砷化镓单晶的空间生长及其应用
基本信息
结项摘要
采用功率移动法避免了由於机械驱动装置引入的微扰，维持了返回式卫星原有的高微重力水手，功率移动熔质是采用无反馈地控制脉冲宽度和脉冲周期来实现的，因而设备简单，可靠性高，投资少。这是世界上首次采用这种方法进行单晶空间生长实验，因而具有开拓性意义。在我国空间晶体生长中首次实现生长过程的适时记录，有利於空间生长过程的分析。采用了具有砷蒸气通全部熔区限制的双层BN坩埚的生长容器，可以避免石英容器的硅沾污生长半绝缘GaAs单晶，实现等径控制和避免砷气泡产生。这一难点国际上没有解决，我们在空间生长的GaAs单晶能够应用於微波集成电路道路上迈出了重要一步。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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