Ф6“～Ф8“半绝缘砷化镓（SI-GaAs）单晶生长及机制研究
基本信息
批准号：60276009
项目类别：面上项目
资助金额：26.00
负责人：徐岳生
学科分类：
依托单位：河北工业大学
批准年份：2002
结题年份：2005
起止时间：2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：刘彩池,孙卫忠,王海云,朱军山,张雯,唐蕾,王胜利
关键词：
镓砷比半绝缘砷化镓LEC法
结项摘要
宽带网络、无线移动通讯，促进了砷化镓微电子的发展，带动了大直径砷化镓单晶及抛光片的需求。本项目用改进的液封直拉法（LEC)生长Ф6″-8″半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶，并研究生长过程中热量、质量和动量输运以及保持镓、砷理论化学计量比、降低缺陷密度、改善均匀性等的机制和技术。对发展我国第三代移动通讯产业有重要意义。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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