半绝缘砷化镓中深能级缺陷的光谱研究
基本信息
批准号：69176003
项目类别：面上项目
资助金额：3.00
负责人：江德生
学科分类：
依托单位：中国科学院半导体研究所
批准年份：1991
结题年份：1994
起止时间：1992-01-01 - 1994-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：王富咸,宋春英,宋吾新,李锋
关键词：
***
结项摘要
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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