无线通信的迅速发展为射频集成电路创造了巨大的市场。近年,Scalin-down使MOSFET射频性能得到持续改善,射频CMOS技术正在异军突起。射频CMOS技术因具有低成本、低功耗和易于同基带电路集成的特点,成为当前研究开发的热点和未来发展趋势之一。但是,它也面临着衬底损耗、噪声、串扰及无源元件品质因数较低等方面的挑战;同体硅相比,由于氧化埋层的隔离及可使用高阻衬底,SOI技术的上述特性显著改善,
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数据更新时间:2023-05-31
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