SOI射频SOC的集成器件及工艺基础研究
基本信息
批准号：60576051
项目类别：面上项目
资助金额：25.00
负责人：李俊峰
学科分类：
依托单位：中国科学院微电子研究所
批准年份：2005
结题年份：2008
起止时间：2006-01-01 - 2008-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：钱鹤,杨荣,欧文,丁明正,候瑞兵,李多力,海潮和
关键词：
SOI集成结构工艺射频
结项摘要
无线通信的迅速发展为射频集成电路创造了巨大的市场。近年，Scalin-down使MOSFET射频性能得到持续改善，射频CMOS技术正在异军突起。射频CMOS技术因具有低成本、低功耗和易于同基带电路集成的特点，成为当前研究开发的热点和未来发展趋势之一。但是，它也面临着衬底损耗、噪声、串扰及无源元件品质因数较低等方面的挑战；同体硅相比，由于氧化埋层的隔离及可使用高阻衬底，SOI技术的上述特性显著改善，
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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