SOI射频SOC的集成器件及工艺基础研究

基本信息
批准号:60576051
项目类别:面上项目
资助金额:25.00
负责人:李俊峰
学科分类:
依托单位:中国科学院微电子研究所
批准年份:2005
结题年份:2008
起止时间:2006-01-01 - 2008-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:钱鹤,杨荣,欧文,丁明正,候瑞兵,李多力,海潮和
关键词:
SOI集成结构工艺射频
结项摘要

无线通信的迅速发展为射频集成电路创造了巨大的市场。近年,Scalin-down使MOSFET射频性能得到持续改善,射频CMOS技术正在异军突起。射频CMOS技术因具有低成本、低功耗和易于同基带电路集成的特点,成为当前研究开发的热点和未来发展趋势之一。但是,它也面临着衬底损耗、噪声、串扰及无源元件品质因数较低等方面的挑战;同体硅相比,由于氧化埋层的隔离及可使用高阻衬底,SOI技术的上述特性显著改善,

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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