低压热丝CVD制备稳定优质非晶硅薄膜的研究

系统地研究诸沉积参量对非晶硅膜结构，光电性及稳定性的影响。优化工艺下获得优质稳定的a-Si:H膜（光暗电导比5×10（2），在100mw/cm（2）光照10小时，光电导下降约18%）。研究氢稀释、沉积气压对非晶、微晶硅薄膜微结构与光电性质的关系。350℃下制备出沉积速率为18nm/min，晶态比＞90%，电导率2×10（-3）（cm）（-1），载流子浓度10（5）/cm（3）及Hall迁移率为3cm（2）/vsec的微晶硅薄膜。观察到微晶硅直接在玻璃表面的柱状生长，无PECVD必有的几nm非晶过渡层，充分显示HWCVD的优点，研究原子氢作用及微晶硅生长机制。研究纳米晶硅及硅基薄膜的室温可见光发射及发光机制。我们的结果对进一步开开发玻璃衬底上制备微晶及多晶硅膜提供了新的技术途径。提出改进膜均匀性的方案。