多晶硅薄膜的低温技术及其沉积机理的研究
基本信息
批准号：60076004
项目类别：面上项目
资助金额：17.00
负责人：朱美芳
学科分类：
依托单位：中国科学院大学
批准年份：2000
结题年份：2003
起止时间：2001-01-01 - 2003-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：朱美芳,宗军,刘金龙,刘丰珍,冯勇,李耀坤,韩一琴
关键词：
热丝助PECVD多晶硅薄漠低温
结项摘要
廉价衬底上多晶硅薄膜是新一代大面积LCDT.FT 及高稳定高效太阳.能电池的基础材料，本翁獠捎肞ECVD与热丝汽相沉积技术结合，充分发挥热丝技术高密度原子氢的产生及PECVD均壬さ奶氐?有.效控制成核，生长及退火。研究各参量对结构和光电特性的影响。.实现玻璃衬底上高速沉积迁移率为10cm/VS,.Ea>0.5ev优质多晶硅薄.膜。提出多晶硅膜生长机制。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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