化学退火改善非晶硅稳定性的研究
基本信息
结项摘要
本课题主要工作：1、改造了常规PECVD设备，使之适合程控化学退火生长非晶硅。2、对化学退火工艺参数如硅烷与氢稀释比，放电功率，生长时间与H处理时间比例等进行了优化试验。3、在此基础上研制出稳定而优质的非晶硅，其光暗电导比达10（5）—10（6）；经20多小时光照后，其光致亚稳缺陷的密度比常规非晶硅降低90%以上，达到并超过了预期降低80％的目标。4、发展了一种新的淀积法，它参照化学退火的原理，通过适度增加H等离子体与生长表面的反应和微量掺入受主型杂质，在不间断生长的条件下制备出具备了与化学退火膜相近的稳定而优质非晶硅膜，具有在工业上实际应用的广阔前景。5、研究了相关的物理问题，如氢含量和微结构与稳定性的关系；H原子与硅烷的反应等。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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