用掠角沉积新技术定向生长硅纳米线的研究
基本信息
批准号：60444009
项目类别：专项基金项目
资助金额：6.00
负责人：朱美芳
学科分类：
依托单位：中国科学院大学
批准年份：2004
结题年份：2005
起止时间：2005-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：朱美芳,刘丰珍,周玉琴,刘金龙,周炳卿,张群芳,谷锦华
关键词：
掠角沉积热催化化学气相沉积硅纳米线阵列
结项摘要
将掠角沉积技术(GLAD, lancing Angle deposition)与热催化化学气相沉积技术相结合，建立和发展新颖的掠角-热催化化学气相沉积系统；.制备垂直表面定向生长、形状可控的硅纳米线/棒阵列；该技术没有离子轰击，高氢稀释SiH4在热催化器作用下产生大量的原子氢有助于晶化，有利于优质纳米线的生长，通过调节氢稀释度控制早期成核密度，从而控制硅纳米线的密度；通过在制备过程中控制调节衬底转
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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