HfSiON栅介质薄膜抗电离辐射机理及加固技术研究
基本信息
批准号：10775166
项目类别：面上项目
资助金额：25.00
负责人：俞跃辉
学科分类：
依托单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
批准年份：2007
结题年份：2010
起止时间：2008-01-01 - 2010-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：宋朝瑞,程新红,程莉莉,何大伟
关键词：
电离辐射效应抗电离辐射加固HfSiON栅介质薄膜
结项摘要
研究高k铪基栅介质材料和器件的电离辐射效应及加固技术，对加速我国新一代微电子技术在国防事业和空间系统中的应用，提高我国在国际上空间竞争的优势具有重要意义。本项目利用脉冲激光沉积方法，在Si衬底上反应沉积多组元HfSiON栅介质薄膜；采用Medici、Tsuprem等软件进行HfSiON栅介质薄膜抗电离辐射效应的仿真模拟；结合10keV X射线和60CoΥ射线，在不同辐射总剂量下，对HfSiON介质薄膜进行电离辐射效应测试；研究HfSiON栅介质薄膜电离辐射损伤的规律，探讨各元素尤其是N元素的结键模式对薄膜抗电离辐射性能的影响及作用机理，重点表征辐射造成的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷，分析缺陷类型，得到原子级别的抗辐射机理；通过调整薄膜沉积参数和工艺对其进行抗电离辐射加固；建立基于高介电常数铪基栅介质薄膜的抗电离辐射评估方法。。
项目摘要
项目成果
{{index+1}}
{{i.achievement_title}}
{{i.achievement_title}}
DOI：{{i.doi}}
发表时间：{{i.publish_year}}
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数据更新时间：2023-05-31
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