高k栅介质/双金属栅器件研究及制备

微电子技术的迅速发展使器件特征尺寸不断减小，传统的多晶硅栅和SiON栅介质已不能满足器件小型化的要求。采用新型的高k栅介质和金属栅技术成为未来微电子技术的发展方向。本项目致力于新型高k栅介质/双金属栅器件工艺技术的研究，通过向传统Hf基氧化物中引入新的元素形成掺杂高k栅介质材料，使其具有更高的介电常数，更好的热力学和化学稳定性，更低的界面态密度，满足纳米 CMOS器件对高k栅介质的要求；选择合适的金属栅材料，通过导入新的掺杂元素和掺杂技术，在较大范围内实现金属栅功函数的调节，开发出先栅后源漏的新型双金属栅集成技术，满足纳米CMOS对金属栅的要求，对高k栅介质与双金属栅集成中的科学问题进行机理研究，克服普遍存在的费米钉扎效应，解决迁移率下降问题，制备出性能优良的高k栅介质/双金属栅CMOS器件，为我国在纳米器件及其关键技术研究领域获得自主知识产权作出贡献。