离子注入法制备硅基发光材料及其发光机制研究

基本信息
批准号:69876043
项目类别:面上项目
资助金额:12.00
负责人:俞跃辉
学科分类:
依托单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
批准年份:1998
结题年份:2001
起止时间:1999-01-01 - 2001-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:林梓鑫,赵俊,雷永明
关键词:
硅基发光材料离子注入发光机制
结项摘要

由于光电子器件、现代通讯等领域的发展需要,世界上已广泛开展硅基发光材料研究。我们拟充分利用与现代微电子技术相匹配的离子注入技术,制备出发光波长可控,并且具有较高发光效率的非晶硅基发光材料。通过系统研究薄膜的微观结构与发光特性之间的相互关系,深入探讨发光机制,为进一步开发和应用硅基发光材料奠定实验及理论基础。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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