GaN－based稀磁半导体材料与自旋电子共振隧穿器件的研究
基本信息
批准号：60376005
项目类别：面上项目
资助金额：20.00
负责人：张国义
学科分类：
依托单位：北京大学
批准年份：2003
结题年份：2006
起止时间：2004-01-01 - 2006-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：胡成余,黎子兰,童玉珍,周劲,李忠辉,陆曙,周生强,孙昌
关键词：
居里温度稀磁半导体自旋电子学共振隧穿GaN
结项摘要
目前的试验和理论计算都表明，只有GaN基和ZnO基的稀磁半导体的居里温度可以达到室温以上，在自旋电子学器件方面具有广泛的应用前景和深刻的物理意义。在制备方法和许多试验现象上，都还处于探索阶段，但是已经引起了世界学术界的广泛关注。我们拟采用MOCVD技术生长高质量的GaN－基材料，采用沟道离子注入的方法注入Mn，Co和Fe等磁性离子，再采用激光和/或热激活或再结晶等方法，制备磁性半导体材料，同时也拟
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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