GaN基紫外光传感器及其应用的研究
基本信息
批准号：69876002
项目类别：面上项目
资助金额：14.00
负责人：张国义
学科分类：
依托单位：北京大学
批准年份：1998
结题年份：2001
起止时间：1999-01-01 - 2001-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：金泗轩,丁晓民,阎卫平,李景
关键词：
氮化镓紫外光传感器
结项摘要
采用低压MOCVD技术，研制一种具有可见光盲，高性能的GaN基的肖特基结，p-n结p-i-n结的紫外光传感器。通过对其响应时间和迟豫时间瞬态过程等性能的研究，深入了解GaN中的光绻蹋亓髯拥氖倜褪湓说扔泄匚锢砦侍狻Ｔ谄骷芯炕∩希剿髌湓诠ひ担赖确矫娴挠τ谩
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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