双自旋过滤和自旋极化隧道结的共振隧穿

金属磁性多层膜的巨磁电阻效应与巨磁电阻磁头的应用已引起普遍关注，而磁性隧道结的隧穿磁电阻效应必将是下一代巨磁电阻磁头的基础。目前研究的都是单磁性隧道结的隧穿磁电阻，我国的理论工作者指出，双自旋极化隧道结和双自旋过滤隧道结将引起共振隧穿，使隧道磁电阻增加一倍，这是具有重要理论和应用意义的结论。可是五年来几乎没有实验工作来实现它。本申请是在有丰富单隧道结研究经验和研究条件的基础上，拟研究双自旋过滤隧道结和双自旋极化隧道结中的共振隧穿现象和磁电阻，包括不同自旋极化率材料的选择，薄膜厚度，热处理温度的影响，磁电阻与温度的关系，与自旋关联长度的关系，薄膜微结构与性能的关系等。期望获得极高的隧道磁电阻材料，从实验的角度与我国的理论工作配合，验证现有理论，并使其进一步深化。