GaN基光子晶体及其在提高发光器件出光效率中的应用
基本信息
批准号：60577030
项目类别：面上项目
资助金额：24.00
负责人：张国义
学科分类：
依托单位：北京大学
批准年份：2005
结题年份：2008
起止时间：2006-01-01 - 2008-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：章蓓,段家忯,陆羽,潘尧波,包魁,戴涛,张振声,康香宁,杨海艳
关键词：
LED出光效率光子晶体GaN激光剥离。
结项摘要
解决介质与空气界面因内部全反射导致的出光效率低下一直是人们发展高效发光二极管（LED）面临的重大挑战。高效GaN基发光二极管（LED），由于其在半导体白光照明中的重要地位成为人们研究的热点，美国、日本和我国都计划在2020年使GaN基LED的发光强度达到200流明/瓦，其中，解决GaN基LED的出光效率是至关重要的关键。采用光子晶体和表面微结构来改进电注入的GaN基LED的出光效率，即研究GaN/空气光子晶体和光子准晶的基本特性及其在GaN基LED中的应用。在自行设计、生长和研制的GaN基LED器件结构上，采用先进的聚焦离子束刻蚀技术研制出GaN基光子晶体和光子准晶，从理论上和实验上系统研究光在光子晶体LED中的传输特性以及提高LED出光效率的条件；结合GaN激光剥离技术和器件倒装工艺，提出和研制出1-2种实用化的原创性光子子晶体GaN基LED原型器件，为发展国家半导体照明光源奠定基础.
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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