铁磁/半导体双垒磁异质结生长及自旋共振隧穿特性研究
基本信息
批准号：50402016
项目类别：青年科学基金项目
资助金额：25.00
负责人：李炳生
学科分类：
依托单位：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
批准年份：2004
结题年份：2007
起止时间：2005-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：张吉英,董林,陈世建,冯秋菊,刘可为,孙建武
关键词：
自旋共振隧穿半导体双势垒隧穿结FeSe铁磁MOCVD技术
结项摘要
采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在GaAs衬底上生长FeSe/ZnSe和Fe/ZnSe等铁磁/半导体异质结；研究FeSe、Fe与GaAs、的共渡生长参数以及临界厚度对外延层和异质界面质量影响，FexSe1-x中组分（x）变化对FeSe物理特性影响，FeSe、Fe的电学和磁学特性等；在Fe(Se)/ZnSe/FeSe等单势垒磁隧穿结研究基础上，实现包含一个单量子阱的双势垒隧穿结构(Fe(Se)/ZnSe-ZnCdSe-ZnSe/FeSe)的匹配生长并通过调节量子阱的结构参数和对隧穿电子的自旋选择性来实现共振增强隧穿，以克服铁磁材料自旋极化度不高的问题并达到增强磁电阻的效果，为在半导体上实现基于隧穿磁电阻（TMR）的磁随机存储器（MRAM）应用提供技术和理论依据。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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