金属诱导低温多晶硅薄膜晶体管器件退化模型和机制研究
基本信息
批准号：60406001
项目类别：青年科学基金项目
资助金额：24.00
负责人：王明湘
学科分类：
依托单位：苏州大学
批准年份：2004
结题年份：2007
起止时间：2005-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：王文,王子欧,钱敏,陈虞苏,刘彪
关键词：
薄膜晶体管(TFT)低温多晶硅器件退化金属诱导横向结晶(MILC)
结项摘要
低温多晶硅技术正成为下一代平板显示的核心技术。低温多晶硅TFT响应速度快，可实现单片集成，可获得高开口率及高分辨率，可驱动LCD或OLED。金属诱导横向结晶（MILC）是近年来发展的极具前景的低温多晶硅技术，MILC多晶硅薄膜均匀性好，可大面积应用，与激光结晶多晶硅相比有批量生产和设备成本的优势。不同于低温多晶硅的工艺研究，国际上多晶硅TFT器件可靠性的研究尚不多见，相关的可靠性测试方法和器件退化
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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