高迁移率薄膜在碲化镉电池中应用

基本信息
批准号:61076062
项目类别:面上项目
资助金额:36.00
负责人:梁军
学科分类:
依托单位:中国科学院上海硅酸盐研究所
批准年份:2010
结题年份:2013
起止时间:2011-01-01 - 2013-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:刘战强,王耀明,李德增,吕旭杰,吴建军,林天全
关键词:
石墨烯透明半导体CdTe电池透明导体掺杂CdTe
结项摘要

拟通过制备高迁移率(高电导)的功能薄膜应用于CdTe电池研究,研发高效CdTe太阳电池制备工艺,并形成自主知识产权的专利群,提升我国在CdTe太阳电池方面开发利用的竞争力。以CdTe电池能带结构为指导,推动电池新材料,新结构与新工艺的发展。研究对象包括:(1)开发新型多元高导电性TCO薄膜应用于电池透明电极。(2)在宽禁带、高迁移率框架下研究稳定的、高迁移率的窗口材料,以及能带匹配的高阻层以阻挡少数载流子注入。(3)CdTe薄膜的高浓度金属替位掺杂提高迁移率。(4)通过研究石墨烯在背接触电极的应用,以实现高电导的欧姆接触。通过本项目的实施,采用全新的高迁移率功能薄膜,集成出高效CdTe薄膜太阳能电池,研制CdTe电池转换效率达到14%,申请3~5项发明专利。

项目摘要

本项目通过制备高迁移率(高电导)的功能薄膜应用于CdTe电池研究,以CdTe电池能带结构为指导,光电子的激发、输运与收集为脉络,研发了高效CdTe太阳电池材料基本性质、结构间特征以及制备工艺,申请相关核心专利并形成自主知识产权的专利群,推动电池新材料,新结构与新工艺的发展。研究成果包括:(1)以高透过、高导电的石墨烯材料为研究对象,系统地研究了石墨烯透明薄膜的制备与特性,获得良好的热稳定性、高迁移率和层数可控的石墨烯,开发了石墨烯应用于CdTe太阳电池透明电极的工艺与集成。(2)采用石墨烯复合金属纳米线制备CdTe薄膜电池的背接触,利用石墨烯的高功函数(~5eV),铜纳米线与CdTe层的低维复合获得稳定的高掺杂金属替位界面,从而获得有效的隧穿电荷过渡层,提高了吸收层的电荷迁移率和背接触的电荷收集能力。(3)通过复合宽禁带减反膜技术的基础研究,光吸收达到98%,实现可见光全光谱吸收。(4) 开发非真空法ZnO基高阻层应用于CdTe电池窗口区,进一步优化电池的能带结构,以及增加窗口区电子的迁移率,增强光透过能力。通过本项目的实施,采用全新的高迁移率功能薄膜,集成出高效CdTe薄膜太阳能电池,研制CdTe电池转换效率达到13.5%,接近目标14%,申请5项发明专利,发表SCI 文章6篇,培养3名博士(其中2人毕业),一名硕士(已毕业)。在国家基金委自然基金的资助下,进一步完善了太阳电池实验室的平台,提升了平台的服务与研发能力。

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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