石墨烯基可转移碲镉汞薄膜物性研究

基本信息
批准号:61307120
项目类别:青年科学基金项目
资助金额:29.00
负责人:刘玫
学科分类:
依托单位:山东师范大学
批准年份:2013
结题年份:2016
起止时间:2014-01-01 - 2016-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:马红,许士才,刘栋,毕冬,孟雪
关键词:
石墨烯可转移薄膜碲镉汞薄膜
结项摘要

In recent years, Mercury cadmium telluride (Hg1-xCdxTe, MCT) has always been an important material for the infrared detector technology. However, the most common substrate materials, including hard, single crystal and amorphous substrate material, can not meet the development requirements of the third-generation infrared focal plane array detector device, and this bottleneck problem is a direct effect of reducing cost and further improving the quality of MCT infrared detector performance. In this project, we will use graphene as the carrier of MCT thin films to prepare the graphene-based MCT thin films, further peel the graphene-based MCT thin films and then transfer them to the foreign substrate materials in order to achieve the crystalline MCT thin film epitaxially grown on amorphous, metal and flexible substrates. The structure, defects, properties and varieties of the graphene-based MCT thin films and the transferred MCT thin films will be summarized and analysed. The possible new and synergistic effects will be explored. The theoretical basis of the variation law and the formation mechanism will be studied. The research results of the project will provide the experiment data and the theoretical references to the transferable graphene-based MCT thin film devices and provide the new ideas for the further development of the MCT infrared detectors. It is very important to develop our science, industry, medicine, defense and so on.

碲镉汞近年来一直是红外探测器技术发展的最重要的材料,但是目前常用的硬质单晶和非晶衬底材料已无法满足第三代红外焦平面列阵探测器器件发展的要求,成为阻碍碲镉汞红外探测器件性能进一步改善质量和降低成本的瓶颈。本项目拟采用石墨烯作为碲镉汞薄膜生长的载体,制备石墨烯基碲镉汞薄膜复合材料,并进一步将石墨烯基碲镉汞薄膜剥离、转移,以实现晶态碲镉汞薄膜在非晶、金属及柔性衬底上的外延。同时对石墨烯基碲镉汞薄膜及其转移之后的内部结构、缺陷和各项物性以及变化进行全面系统的分析总结,探索其可能出现的新的或拓展的协同效应,得到其演化规律及形成机制的理论依据。本项目的研究结果将为石墨烯基可转移碲镉汞薄膜器件化提供实验数据和理论参考,为碲镉汞红外探测器的进一步发展提供新的发展思路,对我国的科技、工业、医疗和国防等方面的发展都具有十分重要的意义。

项目摘要

碲镉汞近年来一直是红外探测器技术发展的最重要的材料,本项目针对目前碲镉汞材料器件结晶质量受衬底材料限制的问题,开展了利用石墨烯作为碲镉汞薄膜生长载体制备石墨烯基碲镉汞薄膜复合材料的相关实验研究,实现了碲镉汞薄膜材料质量的提高,并进一步将石墨烯基碲镉汞薄膜剥离、转移,利用石墨烯实现了碲镉汞薄膜材料在非晶、金属衬底上的外延。通过实验、理论分析研究了其生长、制备、转移过程中实验条件对薄膜性质的影响。我们还对在沉积在金属表面的碲镉汞薄膜产生的表面等离子体特性进行了理论模拟,计算得到金属/石墨烯复合基底的碲镉汞薄膜的内部电场分布、界面处的表面等离子体的三维空间分布以及相关器件的特性参数。本项目的研究结果为基于碲镉汞薄膜材料的红外探测器件的发展提供实验数据和理论指导,具有较好的应用价值。

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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