溶液法硫化镉---碲化镉异质结薄膜太阳电池的研究

建立了化学沉淀法多晶硫化镉薄膜制备技术，研究了多晶硫化镉薄膜生长条件，得到了具有强的定向选择晶面的硫化镉薄膜。建立了在SnO2F和硫化镉衬底上电沉积磅化镉薄膜技术，得到了碲化镉薄膜最佳生长条件，沉淀的碲化镉薄膜晶粒紧密排列，解决了碲化镉与硫化镉紧密结合不剥落的难题。建立了密堆积升降法制备碲化镉多晶薄膜技术，在硫化镉衬底上得到111面择优的碲化镉薄膜。首次提出对水溶液沉淀的磁化镉薄膜进行氯化镉处理，研究了热处理及其微观结构和光电性质，经最佳条件热处理后，硫化镉晶粒长大，暗电率升至10（7）Ωcm。硫化镉致密度得到提高，对碲化镉出也进行了热处理，发现氯化镉处理后，薄膜不但导电类型得到改变，晶形晶粒也得到优化。