通过热壁-等温气相外延的方法在硅衬底上生长锑化铟/碲镉汞/碲化镉/硅异质结构材料。研究材料的优化生长条件,材料结构特性和理化特性。碲镉汞的能隙可以通过调整合金组分而变化,从而得到工作在1-3微米、3-5微米、8-14微米三个大气窗口的探测器材料。其器件与Si-CCD互联可实现大面积阵红外焦平面。对国防和经济建设会带来较大的效益。
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数据更新时间:2023-05-31
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