热壁-等温气相外延锑化铟/碲镉汞/碲化镉/硅材料
基本信息
批准号：50362003
项目类别：地区科学基金项目
资助金额：23.00
负责人：袁海荣
学科分类：
依托单位：云南师范大学
批准年份：2003
结题年份：2006
起止时间：2004-01-01 - 2006-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：陈庭金,吴长树,彭银生,查超麟,张忠文
关键词：
红外焦平面异质结构热壁等温气相外延
结项摘要
通过热壁-等温气相外延的方法在硅衬底上生长锑化铟/碲镉汞/碲化镉/硅异质结构材料。研究材料的优化生长条件，材料结构特性和理化特性。碲镉汞的能隙可以通过调整合金组分而变化，从而得到工作在1-3微米、3-5微米、8-14微米三个大气窗口的探测器材料。其器件与Si-CCD互联可实现大面积阵红外焦平面。对国防和经济建设会带来较大的效益。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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