亚0.1微米统一的体硅和SOI MOSFET SPICE模型的研究

本项目针对SPICE和BS IM的不足之处，建立用于电路模拟的超深亚微米MOSFET载流子速度过冲效应模型，量子化效应模型，亚阈区电容 模型、SOI结构的浮置体效应和history效应模型、器件特性的温度效应模型、RF频率下输 运电流的非静态模型和诱致栅热噪声模型，并将它们写入SPICE3F5程序中，最终建立体硅和SOI结构MOSFET的统一电荷、电流和电容模型。