纳米硅/单晶硅异质结的SOI MAG-MOSFET压磁电效应研究
基本信息
批准号：60676044
项目类别：面上项目
资助金额：18.00
负责人：温殿忠
学科分类：
依托单位：黑龙江大学
批准年份：2006
结题年份：2009
起止时间：2007-01-01 - 2009-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：邱成军,赵晓锋,张辉军,张振辉,李朝阳,杨秀萍,王璐,王超,杨柳
关键词：
压/磁传MAGMOSFET纳米硅/单晶硅SOI霍尔效应压阻效应
结项摘要
在SOI硅片上，采用CMOS技术和PECVD方法在SOI表面的Si层上制造具有纳米硅/单晶硅异质结漏和源的SOI MAG-MOSFET，并将SOI MAG-MOSFET器件的背面硅衬底利用MEMS技术加工成硅杯，使制造的器件成为在检测磁场的同时又能检测压力的多功能传感器。进一步详细研究纳米硅/单晶硅异质结特异性及其作为漏和源结对SOI MAG-MOSFET性能提高的影响、新结构的SOI MAG-M
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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