复合多晶硅栅射频MOSFET的研究
基本信息
批准号：60644007
项目类别：专项基金项目
资助金额：8.00
负责人：陈军宁
学科分类：
依托单位：安徽大学
批准年份：2006
结题年份：2007
起止时间：2007-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：柯导明,徐超,代月花,孟坚,谭守标,李正平,刘磊,刘琦,孙家讹
关键词：
复合多晶硅栅MOSFET高截止频率高增益
结项摘要
复合多晶硅栅射频MOSFET采用栅工程的概念，通过对栅的设计，得到特性优良的新结构射频MOSFET。所设计的栅有S-gate 和D-gate 两块并列组成，S-gate用高功函数p多晶硅，D-gate用低功函数n多晶硅。由于靠源端的阈值电压稍高于漏端的阈值电压，沟道中产生阶梯分布电势，电场沿沟道有一个峰值，载流子可以得到更大的漂移速度，其结果是提高了驱动电流、跨导和截止频率。同时又减小了漏漂移区末
项目摘要
项目成果
{{index+1}}
{{i.achievement_title}}
{{i.achievement_title}}
DOI：{{i.doi}}
发表时间：{{i.publish_year}}
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数据更新时间：2023-05-31
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