超深亚微米MOSFET的HCI/NBTI效应研究
基本信息
批准号：60206006
项目类别：青年科学基金项目
资助金额：20.00
负责人：刘红侠
学科分类：
依托单位：西安电子科技大学
批准年份：2002
结题年份：2005
起止时间：2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：郝跃,张进城,黄涛,李培咸,韩晓亮,马晓华,史江一,刘道广,郑雪峰
关键词：
可靠性热载流子注入负偏压温度不稳定
结项摘要
研究超深亚微米器件的典型失效机理—热载流子注入和负偏压温度不稳定性。寻找分解这两种效应的方法，确定每个机理在典型器件参数偏移和任意偏压以及温度条件下各自的作用。建立两种机理影响的器件寿命模型，提出一个很好的器件可靠性监测量。提出可靠性加固的器件最佳结构和工艺参数。这对于超深亚微米器件可靠性的研究意义重大。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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