0.1微米难熔金属栅CMOS器件的研究

基本信息
批准号:60076018
项目类别:面上项目
资助金额:17.00
负责人:韩郑生
学科分类:
依托单位:中国科学院微电子研究所
批准年份:2000
结题年份:2003
起止时间:2001-01-01 - 2003-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:李俊峰,赵玉印,柴淑敏,杨雪莹,李瑞钊
关键词:
金属栅多晶硅栅亚01um时代
结项摘要

本项目研究用难熔金属作深亚米CMOS器件栅电极的可靠性、稳定性和工艺兼容性等问题,并在此基础上研制0.1um金属CMOS器件。金属栅器件不但具有非常小的栅薄层电阻,而且从根本上消除了传统多晶硅栅器件所固有的栅耗尽效应和硼穿透现象。金属栅工艺是亚0.1um时代研制高速、低功耗、高性能CMOS器件的关键工艺技术之一。.

项目摘要

项目成果
{{index+1}}

{{i.achievement_title}}

{{i.achievement_title}}

DOI:{{i.doi}}
发表时间:{{i.publish_year}}

暂无此项成果

数据更新时间:2023-05-31

其他相关文献

1

施用生物刺激剂对空心菜种植增效减排效应研究

施用生物刺激剂对空心菜种植增效减排效应研究

DOI:10.11654/jaes.2022-0087
发表时间:2022
2

SUMO特异性蛋白酶3通过调控巨噬细胞极化促进磷酸钙诱导的小鼠腹主动脉瘤形成

SUMO特异性蛋白酶3通过调控巨噬细胞极化促进磷酸钙诱导的小鼠腹主动脉瘤形成

DOI:10.3969/j.issn.1000-4718.2020.05.001
发表时间:2020
3

重金属-柠檬酸-针铁矿三元体系的表面络合模型研究

重金属-柠檬酸-针铁矿三元体系的表面络合模型研究

DOI:10.7524/j.issn.0254-6108.2020053102
发表时间:2021
4

新建城市零散作物种植地重金属污染研究——以昆明呈贡新区为例

新建城市零散作物种植地重金属污染研究——以昆明呈贡新区为例

DOI:10.16213/j.cnki.scjas.2020.10.037
发表时间:2020
5

西安市2010~2015年0-5岁儿童HBV感染状况的流行病学研究

西安市2010~2015年0-5岁儿童HBV感染状况的流行病学研究

DOI:10.13241/j.cnki.pmb.2018.11.022
发表时间:2018

韩郑生的其他基金

批准号:60927006
批准年份:2009
资助金额:120.00
项目类别:专项基金项目

相似国自然基金

1

超深亚微米新型槽栅CMOS器件及相关技术研究

批准号:60376024
批准年份:2003
负责人:郝跃
学科分类:F0406
资助金额:25.00
项目类别:面上项目
2

高K/金属栅CMOS器件的性能退化机理研究

批准号:90407015
批准年份:2004
负责人:康晋锋
学科分类:F0405
资助金额:36.00
项目类别:重大研究计划
3

亚50纳米金属栅体硅多栅CMOS器件及关键技术研究

批准号:60576032
批准年份:2005
负责人:徐秋霞
学科分类:F0406
资助金额:26.00
项目类别:面上项目
4

双金属栅CMOS器件的可靠性退化机制及其抑制方法研究

批准号:61306129
批准年份:2013
负责人:杨红
学科分类:F0406
资助金额:30.00
项目类别:青年科学基金项目