本项目研究用难熔金属作深亚米CMOS器件栅电极的可靠性、稳定性和工艺兼容性等问题,并在此基础上研制0.1um金属CMOS器件。金属栅器件不但具有非常小的栅薄层电阻,而且从根本上消除了传统多晶硅栅器件所固有的栅耗尽效应和硼穿透现象。金属栅工艺是亚0.1um时代研制高速、低功耗、高性能CMOS器件的关键工艺技术之一。.
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数据更新时间:2023-05-31
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