旁栅电压对GaAs场效应管栅极肖特基势垒影响的研究
基本信息
批准号：69676001
项目类别：面上项目
资助金额：10.00
负责人：吴巨
学科分类：
依托单位：中国科学院半导体研究所
批准年份：1996
结题年份：1999
起止时间：1997-01-01 - 1999-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：张缅,白锡巍,陈涌海,万寿科
关键词：
旁栅电压GaAs场效应管栅极肖特基势垒
结项摘要
本项工作是研究GaAs衬底材料与MESFET器件关系，做了以下几项工作：1、控制生长过程中晶体的降温速率，得到位错密度为10（5）cm(-2)的高位错半绝缘GaAs衬底材料。分别在高位错和低位错衬底上制作MESFET器件，发现高位错密度对MESFET器件的旁栅效应有抑制作用，并指出这是由于衬底的位错降低了衬底载流子寿命引起。2、半绝缘衬底材料的导电性是对MESFET器件性能有重要影响的材料特性。衡量GaAs导电性的标准是衬底电流开始剧增的电压阈值。我们观察到衬底的电压阈值决定于衬底的少子载流子寿命，与衬底电阻率无关。3、将以上得出的结论-衬底载流子寿命对器件性能有显著影响-直接应用于在高能辐照环境工作的器件衬底材料的选用，效果很好，解决了一个实际问题，为我国的国防建设做出了贡献。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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