肖特基势垒与氢
基本信息
结项摘要
对GaAs为基的含氢肖特基势垒研究证实：零偏退火/反偏退火对势垒的影响与GaAs片的晶向有关；先淀积金属然后作氢等离子体处理与先作等离子体氢处理一淀积金属相似也有零偏退火/反偏退火效应。对硅为基的含氢肖特基势垒所作研究首次证实也存在肖特基势垒高度的零偏退火/反偏退火效应，退火温度愈高，该效应愈明显；在至少四个循环之中，零偏退火肖特基势垒下降，反偏退火，肖特基势垒上升的过程是可逆的。发现氢使Er/P-Si的肖特基下降0.1-0.12eV，理想因子由1.17降为1.08，与我们1990年报导的怪使Al/P-Si肖特基势垒上升0.07—0.09eV，理想因子由1.06上升为1.17，方向相反。我们的解释是：前一情况氢的主导作用是钝化界面态；而后一情况主导作用是产生界面态。
项目摘要
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数据更新时间：2023-05-31
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