量子点和量子线MBE生长中浸润层状态的研究

基本信息
批准号:69976027
项目类别:面上项目
资助金额:15.80
负责人:吴巨
学科分类:
依托单位:中国科学院半导体研究所
批准年份:1999
结题年份:2002
起止时间:2000-01-01 - 2002-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:林峰,刘峰奇,姜红卫,丁鼎
关键词:
量子点量子线浸润层
结项摘要

研究自组装量子点和量子线在分子束外延生长过程中,浸润层的状态。在经典的SK生长模式中,浸润层被认为是均匀的。而实际上,浸润层的形成要受到晶体弹性各项异性、原子扩散的各项异性、组份的起伏变化等因素的影响,使其成为不均匀的。浸润层的不均匀性直接影响量子点和量子线的形成。我们要在这方面开展工作。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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