InAs/InAl(Ga)As/InP量子线微腔量子电动力学

辐射场与物质发光的相互作用是物理基础研究，半导体低维材料微腔量子电动力学（CQED）行为是其中的重要部分，是新一代半导体光电技术的基础。本课题研究InAs量子线的CQED行为。与量子点相比，量子线在生长、结构、和光学性质等方面有独到的特性。量子线在结构上有各种形态，有不同的应用范围，但是它们有相似的特性。半导体量子线的一个重要特性是其光学偏振具有特定的方向，这使量子线在半导体低微结构材料的研究和应用中有重要地位。偏振方向应该对CQED行为有重要影响。但是在以往的研究中，由于缺乏具有特定偏振方向的光源而没有对这种影响进行实验研究。本课题要通过研究InAs量子线的CQED行为，说明在半导体光子晶体微腔中光源偏振方向性对CQED 行为的影响。本课题还将通过CQED行为，研究量子线的电子结构和结构缺陷，使半导体低维材料的研究更为深入和细致。