半导体量子微腔的光学性质和超快过程研究

本项目成功地生长了InGaAs/GaAs量子平面微腔，并对其腔模特性进行了研究。在光荧光光谱中，对测得由微腔光场与量子阱激子相互作用所形成的腔极化激元发光；在非共振激发条件下，研究了微腔中极化激元自发辐射的时间分辨光谱，研究了上下两支腔极化激元光荧光的上升时间和衰退时间与失谐度的关系；用声子散射模型及其瓶颈效应对实验结果作了解释。用光学传输矩阵出发，研究了DBR生长顺序对半导体平面微腔中电场振幅极大值位置及整个微腔选频特性的影响；研究了特殊量子阱中激子寿命与量子阱周期数依赖关系；本项目还研究了半导体量子点微结构的载流子飞秒动力学特性，第一次给出了量子点的俘获过程与量子点尺寸的关系。