本项工作对平面微腔半导体激光器的电、热、光波导特性、模式控制以及微腔对光谱特性的影响等进行了系统的研究。揭示了激光器的结构对注入电流、电压分布的影响,并在此基础上从根本上揭示了其光波导特性,予言了实现单模工作的激光器结构。对于半导体微结构的光激励的瞬态特性的研究,发现了量子阱的界面粗糙、阱宽以及势垒高度对瞬态特性有很大的影响。这一结果不仅揭示了影响这些半导体微结构瞬态特性的物理根源。对于进一步认识这些半导体微结构的物理特性,并用其设计与制作高速光电器件有重大价值。在国内首次生长GnNAS和GalnNAs新型半导体材料,并用此材料成功制极有应用前景长波长半导体平面微腔激光器。发现Pd/Sb(Mn)薄膜可以很好地代替P型GaAs/AsAl用于制作平面微腔半导体激光器的上反射镜。
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数据更新时间:2023-05-31
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