新型GaAs基氮化物的异常能带结构和光学性质研究
基本信息
批准号：10274081
项目类别：面上项目
资助金额：31.00
负责人：徐仲英
学科分类：
依托单位：中国科学院半导体研究所
批准年份：2002
结题年份：2005
起止时间：2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：赵江山,罗向东,杨旭东,孙保权,黄劲松,周大勇,葛惟昆,张勇
关键词：
光学性质能带结构镓铟氮砷
结项摘要
GaAs基氮化物Ga（Iu）NAs是一种新型光电信息功能材料，在长波长激光器和高效太阳电池研制中具有广阔的应用前景。本项目采用稳态和瞬态光谱测量技术，从光学特性研究出发，揭示N在Ga（In）NAs中的独特行为及其对材料能带结构和光学性质的影响，研究N由孤立等电子中心向能带转变的过程，为推动材料生长和器件研制的进一步发展提供有指导意义的物理依据。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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