半导体和半导体纳米结构中的超快光学过程研究

基本信息
批准号:10334040
项目类别:重点项目
资助金额:100.00
负责人:徐仲英
学科分类:
依托单位:中国科学院半导体研究所
批准年份:2003
结题年份:2007
起止时间:2004-01-01 - 2007-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:李国华,孙宝权,刘仁保,苏荫强,赵江山,杨旭东,马宝珊,孙征,丁琨
关键词:
超快过程纳米结构自旋相干动力学半导体
结项摘要

半导体中的超快光学过程研究涉及半导体中载流子激发、弛豫、输运和复合等许多基本物理过程,这项研究不仅对凝聚态物理基础学科发展有重要意义,而且将推动固态电子、光电子和量子器件的发展和应用。本项目采用超快激光光谱实验技术,并结合压力光谱,磁光光谱等极端实验条件,研究半导体和半导体纳米结构中非平衡载流子的超快动力学过程:重点研究载流子的俘获和驰豫特性及其与材料结构特性、维度特性的关系;研究载流子自旋相干驰豫和相干控制动力学,研究自旋相干特性与材料结构、维度、取向、组分、掺杂特性的关系;研究激子形成动力学及其荧光动力学。理论上,将重点研究瞬态相干过程中的物理问题,研究电声子散射在瞬态相干过程中的作用,量子动力学理论问题,多体相互作用对于相干和退相干过程的影响,各种外加条件(电场、磁场、THz交变场)对于量子相干过程的影响等等。为相应器件结构研究提供理论基础。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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