适合于SOC的射频电路用超高密度MIM电容及其可靠性研究
基本信息
批准号：90607023
项目类别：重大研究计划
资助金额：29.00
负责人：丁士进
学科分类：
依托单位：复旦大学
批准年份：2006
结题年份：2008
起止时间：2006-07-01 - 2008-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：王季陶,李名复,於伟峰,陈玮,张敏,黄宇健
关键词：
射频电路原子层淀积可靠性超高密度MIM电容
结项摘要
本项目针对适合于SOC的射频电路对高性能金属/绝缘体/金属（MIM）电容器的要求，用原子层淀积（ALD）技术制备Nb2O5/HfO2和Nb2O5/Al2O3等纳米叠层高介电常数复合介质薄膜，研究绝缘薄膜的组成和结构、金属材料对MIM电容中漏电行为、电容电压系数、电容的频率特性、金属/绝缘体的界面特性等的影响机理，同时对介质薄膜在金属衬底上的生长机理和ALD过程中界面层的抑制进行研究。并在前面的研究
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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