基于0.13um CMOS工艺的射频SOC电路设计和信号完整性研究
基本信息
批准号：60476012
项目类别：面上项目
资助金额：21.00
负责人：黄风义
学科分类：
依托单位：东南大学
批准年份：2004
结题年份：2007
起止时间：2005-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：冯军,潘弘瑶,熊明珍,李文渊,吴忠杰,蒋俊洁,张少勇,孔晓明,池毓宋
关键词：
射频系统集成芯片（RF深亚微米射频CMOS模型射频集成电SOC）
结项摘要
本项目的核心研究方向是利用0.13微米CMOS工艺，在开展器件模型研究基础上，设计开发射频芯片电路,并研究数字/射频混合线路的相互干扰和信号完整性。主要研究内容包括：（1）深亚微米射频CMOS的可缩放模型，（2）高于5GHz的低噪声放大器射频电路设计和流片；（3）数字/模拟信号的相互干扰与信号完整性研究。研究意义：数字和射频模拟信号系统混合集成芯片（RF SOC）是国际上大规模集成电路领域科研开发
项目摘要
项目成果
{{index+1}}
{{i.achievement_title}}
{{i.achievement_title}}
DOI：{{i.doi}}
发表时间：{{i.publish_year}}
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数据更新时间：2023-05-31
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