基于SOI的射频（RF）电路相关特性研究及射频电路模块研制

本项目对基于SOI的射频集成电路的相关特性进行研究并对基于SOI的射频电路模块进行试制。拟进行的研究有：建立一个适用于SOI MOSFET的高频小信号等效电路模型，和能够适用于该高频小信号等效电路模型的参数提取方法；对基于SOI衬底的电感（Inductor）和变压器（Transformer）进行优化设计、建模和创新工艺研制；对基于SOI衬底的不同射频电路之间的串扰特性进行研究；对应用于LC调谐振荡器中的基于SOI衬底的三端变容管进行优化设计和新型工艺研制；设计并试制基于SOI的射频电路模块，以验证包括无源器件的工艺集成方案、理论分析结果等，包括低噪声放大器或压控振荡器（VCO）、混频器。本项目对射频SOI集成电路技术的理论和应用研究既可以促进当前国内无线通讯等领域发展，打破一些低功耗、高性能通讯芯片的国外垄断，又能进一步发展我国射频微电子技术，推动我国目前还正处于刚刚起步的射频通讯的发展。