金属纳米颗粒与半导体量子点耦合效应机理研究

基本信息
批准号:10905043
项目类别:青年科学基金项目
资助金额:23.00
负责人:任峰
学科分类:
依托单位:武汉大学
批准年份:2009
结题年份:2012
起止时间:2010-01-01 - 2012-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:蔡光旭,周小东,吴伟,李航,付强
关键词:
离子注入荧光发光耦合金属纳米颗粒量子点
结项摘要

金属纳米颗粒表面等离子体与半导体量子点发生耦合相互作用时,会对半导体量子点发光效应产生强烈影响,在一定条件下可大大提高量子点的发光效率和强度。本项目以Ag(Au)-ZnO(Si)耦合体系为模型,通过研究入射激发光的波长、等离子体共振频率、量子点发光波长、纳米颗粒与量子点的距离等参数及它们的相互匹配关系对量子点发光的影响,深入分析纳米颗粒与量子点相互作用过程,揭示纳米颗粒与量子点耦合物理机理,获得金属纳米颗粒表面等离子体增强半导体量子点发光的实验条件。本项目的研究可推广到等离子体与半导体复合体系,提供了一种增强半导体材料发光的方法,将有助于提升半导体光电器件性能,为进一步开发新型光电器件提供实验与理论依据。

项目摘要

金属纳米颗粒表面等离激元与半导体发生耦合相互作用时,会对半导体发光、光催化等性能产生强烈影响,在一定条件下可大大提高半导体的发光效率和催化性能。本项目以Ag-ZnO(TiO2)耦合体系为模型,通过研究入射激发光的波长、等离子体共振频率、纳米颗粒与半导体的距离等参数及它们的相互匹配关系对半导体性能的影响,深入分析纳米颗粒与量子点相互作用过程,阐述了纳米颗粒与半导体耦合作用物理机理。本项目的研究提供了一种增强半导体材料发光的方法,为进一步开发新型光电器件提供实验与理论依据。将有助于提升半导体光电器件性能。项目研究期间发表SCI论文30篇,获湖北省2012年度自然科学一等奖一项,授权专利1件,申请专利2件,参加国际会议4次,国内会议3次。培养和正在培养博士硕士研究生13人。

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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