III--V族化合物混晶材料的低温压力光谱和瞬态过程研究

采用变温，选择激发和可调压力的光致发光谱和发光瞬态过程分析，研究了混晶GaAs1-xPx：N中Nx束缚激子的压力行为和发光瞬态过程。阐明在流体静压力和低激发密度下，发生Nx中心到NNi中心激子热激活转移过程的机制分别是多重陷入和变程跳跃。首次在GaAs1-xPx：N中观察到Nx发光的多声子重现光谱和NN1束缚激子发光的精细声子伴线。在混晶GaAs1-xPx：N中进一步验证了黄昆的多声子光跃迁理论，发现在混晶GaAs1-xPx：N中Nx带内存在着快速的激子隧穿过程（～50ps），激子迁移率边具有时间尺度上的意义，在组分X～0.4的GaAs1-xPx：N中，判明与N杂质有关的Nx带来自N束缚激子的发光，而NΓ带来自孤立N束缚激子分子的发光。