III--V族化合物混晶材料的低温压力光谱和瞬态过程研究

基本信息
批准号:69376035
项目类别:面上项目
资助金额:5.00
负责人:郑健生
学科分类:
依托单位:厦门大学
批准年份:1993
结题年份:1996
起止时间:1994-01-01 - 1996-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:颜炳章,林之融,张勇,俞容文,肖梅杰
关键词:
杂质与缺陷发光IIIV族化合物
结项摘要

采用变温,选择激发和可调压力的光致发光谱和发光瞬态过程分析,研究了混晶GaAs1-xPx:N中Nx束缚激子的压力行为和发光瞬态过程。阐明在流体静压力和低激发密度下,发生Nx中心到NNi中心激子热激活转移过程的机制分别是多重陷入和变程跳跃。首次在GaAs1-xPx:N中观察到Nx发光的多声子重现光谱和NN1束缚激子发光的精细声子伴线。在混晶GaAs1-xPx:N中进一步验证了黄昆的多声子光跃迁理论,发现在混晶GaAs1-xPx:N中Nx带内存在着快速的激子隧穿过程(~50ps),激子迁移率边具有时间尺度上的意义,在组分X~0.4的GaAs1-xPx:N中,判明与N杂质有关的Nx带来自N束缚激子的发光,而NΓ带来自孤立N束缚激子分子的发光。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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