我们自行设计和建设了一台即可利用磁控溅射产生一些金属、碳及其氮化物团簇,也可利用热蒸发的方法产生各种低熔点金属和半导体团簇设备,同时沉积室,我们增加了一个热蒸发源,可以蒸发一些绝缘体和半导体介质得到嵌埋团簇膜,此外,磁控溅射产生的团簇有三分之二为离化团簇,在溅射室到沉积室之间,可加0-30keV的加速电压。这样,利用该设备,我们开展了以下几方面的工作:(一)离化团簇束沉积(ICBD)合成氮化碳化合物β-C3N4薄膜的研究,以及荷能团簇的成膜及其结构性能的研究;(二)支撑团簇的制备、结构的研究;(三)嵌埋式团簇的制备、结构及光磁性能的研究,特别是半导体嵌埋团簇的光吸收性质、光学带隙与团簇尺寸的关系及量子受限效应。
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数据更新时间:2023-05-31
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