半导体中DX中心的研究

在本项目建立的laplace缺陷谱方法中，自行设计了采用共轭梯度法的Laplace逆变换程序，并在普通微机上运行。通过对计算机模拟的和实验的多指数瞬态过程的Laplace变换的数值运算，证明本方法具有高的能级分辨率，可分辨多指数函数是指数比率大于1.5的各个指数组分约2个数量级差别的不同组分的幅度比。由于引入约束参数等方法，系统具有相当的抗噪声能力。本方法已用于对AlGaAs中Sn施主DX中心及GaAsP中Fe受主中心的精细结构的研究，各获得的分裂谱峰，可归因于混晶无序效应导致的杂质能级的劈裂，进而提供了上述杂志中心的可能的微观结构。已发表论文中已有3篇被SCI及EI收录。此外，本项目对AlGaAs中DX中心的其他性质等也进行了研究。