强磁场下界面金属间化合物层生长规律的研究

基本信息
批准号:50471068
项目类别:面上项目
资助金额:20.00
负责人:赵杰
学科分类:
依托单位:大连理工大学
批准年份:2004
结题年份:2007
起止时间:2005-01-01 - 2007-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:许富民,戚琳,莫涛,朱凤
关键词:
界面层生长强磁场金属间化合物
结项摘要

强磁场作为极端条件是揭示物质内部自由度的最有效手段,从材料学的角度,由于强磁场下电磁力的作用范围可达原子尺度,从而对材料的组织和性能产生巨大而深刻的影响,因此能揭示材料在常规条件下难以出现的奇异现象,为材料研究者开展广泛领域的研究提供了可能和巨大的发展机遇。本项目以Sn-Pb、Sn-Ag基合金与Cu、Ni之间形成的金属间化合物层(界面IMC层)为对象,研究强磁场和温度场作用下界面IMC层生长的动力学规律、界面IMC层的结构特点、合金元素对界面IMC层生长的影响作用以及界面IMC层的生长机理。由于目前有关强磁场对界面IMC层生长规律的研究在国内外未见报道,是尚待开发的新的研究领域之一,因此通过本项目的研究,有望拓展和加深对界面IMC层生长规律、界面IMC层的扩散模型和机理的认识。同时,本项目成果将就界面IMC层的生长在复合材料制备、材料表面改性、电子封装器件中界面结合强度等方面有重要意义。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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