UMG硅衬底上垂直有序微纳硅孔阵列太阳电池研究

基本信息
批准号:61076053
项目类别:面上项目
资助金额:15.00
负责人:赵雷
学科分类:
依托单位:中国科学院电工研究所
批准年份:2010
结题年份:2011
起止时间:2011-01-01 - 2011-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:王文静,周春兰,李海玲,刁宏伟,张瑶,黄芳
关键词:
UMG硅微纳硅孔阵列HIT太阳电池金属催化化学刻蚀
结项摘要

采用阳极氧化铝(AAO)模板结合金属催化化学刻蚀,在高纯冶金级(UMG)硅衬底上制备垂直有序的微纳硅孔阵列,经湿化学方法进行表面钝化处理后,在其上制备非晶硅/晶体硅异质结(HIT)结构的太阳电池。本项目所提出的这种太阳电池将UMG硅材料的低成本与纳米线太阳电池的高陷光高载流子收集特性和HIT太阳电池的优异界面钝化特性有机结合起来,能够成为制备低成本高效率硅太阳电池的有效途径。本项目重点研究UMG硅衬底上有序阳极氧化铝模版的形成机制,金属催化化学刻蚀UMG硅衬底的反应过程与微纳硅孔的形成机理,以及硅孔表面悬挂键钝化机制与钝化质量控制,最终在UMG硅衬底上制备出微纳硅孔阵列太阳电池原型器件。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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