硅衬底上碳纳米管阵列的制备及其性质研究

基本信息
批准号:59972015
项目类别:面上项目
资助金额:20.00
负责人:范守善
学科分类:
依托单位:清华大学
批准年份:1999
结题年份:2002
起止时间:2000-01-01 - 2002-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:党海燕,赵建红,凌涛,曹继恩,梁文杰
关键词:
碳纳米管阵列纳米技术场致发射
结项摘要

The synthesis method of carbon nanotube arrays was further developed. We revealed the growth mechanism of multi-walled carbon nanotube arrays in CVD (Chemical Vapor Depositon) by a 13C isotope-labeling technique. Arrays of monodispersed carbon nanotubes were fabricated by using AAO (Anodic Aluminum Oxide) template, the shape and the diameter of the nanotubes in the array can be controlled and adjusted by varying the anodizing conditions of the template. The field emission properties of intrinsic and doped single nanotube were studied, the monodispersed nanotube arrays also exhibit excellent field emission properties. We also grow semiconductor nanowire array by similar techniques as growing carbon nanotube arrays. We made super-aligned carbon nanotube arrays by improved CVD method and successfully pulled out continuous nanotube yarns out of such arrays. The creation of such yarns would enable macroscopic applications for carbon nanotubes.

发展硅衬底上碳纳米管阵列的制备技术,研究纳米管阵列的生长机.理和提高生长工艺的可匦?。研究碳纳米管阵列的场发射性质及可能的应用.。硅衬底上碳纳米管阵列的制备技术胂钟械墓杓傻缏分票腹ひ胀耆嫒荩饨欣谑迪痔寄擅坠芷骷凸杌?件的集成,并有利于实现批量生产。这项研究工作将会大大推进碳.纳米管的应用研究。........

项目摘要

项目成果
{{index+1}}

{{i.achievement_title}}

{{i.achievement_title}}

DOI:{{i.doi}}
发表时间:{{i.publish_year}}

暂无此项成果

数据更新时间:2023-05-31

其他相关文献

1

基于一维TiO2纳米管阵列薄膜的β伏特效应研究

基于一维TiO2纳米管阵列薄膜的β伏特效应研究

DOI:10.7498/aps.67.20171903
发表时间:2018
2

空气电晕放电发展过程的特征发射光谱分析与放电识别

空气电晕放电发展过程的特征发射光谱分析与放电识别

DOI:10.3964/j.issn.1000-0593(2022)09-2956-07
发表时间:2022
3

瞬态波位移场计算方法在相控阵声场模拟中的实验验证

瞬态波位移场计算方法在相控阵声场模拟中的实验验证

DOI:
发表时间:2020
4

夏季极端日温作用下无砟轨道板端上拱变形演化

夏季极端日温作用下无砟轨道板端上拱变形演化

DOI:10.11817/j.issn.1672-7207.2022.02.023
发表时间:2022
5

拉应力下碳纳米管增强高分子基复合材料的应力分布

拉应力下碳纳米管增强高分子基复合材料的应力分布

DOI:10.11868/j.issn.1001-4381.2019.000332
发表时间:2020

范守善的其他基金

批准号:59772018
批准年份:1997
资助金额:15.00
项目类别:面上项目
批准号:59642006
批准年份:1996
资助金额:3.00
项目类别:专项基金项目

相似国自然基金

1

UMG硅衬底上垂直有序微纳硅孔阵列太阳电池研究

批准号:61076053
批准年份:2010
负责人:赵雷
学科分类:F0403
资助金额:15.00
项目类别:面上项目
2

廉价衬底上硅线阵列的构筑及其太阳能电池器件化研究

批准号:60976012
批准年份:2009
负责人:王业伍
学科分类:F0401
资助金额:35.00
项目类别:面上项目
3

硅衬底上AlGaN基深紫外LED材料与器件制备研究

批准号:51872280
批准年份:2018
负责人:孙莉莉
学科分类:E0207
资助金额:60.00
项目类别:面上项目
4

采用RPCVD外延法在硅衬底上直接制备石墨烯的研究

批准号:61306124
批准年份:2013
负责人:罗军
学科分类:F0406
资助金额:30.00
项目类别:青年科学基金项目