基于超材料纳米结构单层二硫化钼发光特性及谷自由度的操控研究

基本信息
批准号:11674275
项目类别:面上项目
资助金额:68.00
负责人:刘海龙
学科分类:
依托单位:燕山大学
批准年份:2016
结题年份:2020
起止时间:2017-01-01 - 2020-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:徐伟,郑龙江,王志芳,冯影,孙梦菲,张继斌
关键词:
表面等离激元—激子耦合光致发光单层二硫化钼谷自由度超材料
结项摘要

Monolayer molybdenum disulfide (MoS2) is a direct band gap semiconductor demonstrating some specific properties, such as valley degree of freedom. These specific properties make it have potential applications in energy batteries, super thin light-emitting devices, and valleytronic devices. Recently, increasing attentions have been paid to enhancing photoluminescence of MoS2 as well as tuning the valley degree of freedom..Here, we propose a new project to investigate the photoluminescence enhancement and the manipulation of the valley degree of freedom in MoS2 with metamaterials. In our project, we will establish the fundamental interaction mechanism between metamaterials and monolayer MoS2, which is helpful to discovery the underlying physics of photoluminescence enhancement of monolayer MoS2 with metamaterials. Moreover, a series of chiral metamaterial nanostructures will be employed to tune the circular-polarized photoluminescence of monolayer MoS2, which is dependent on the valley degree of freedom. .This project paves the way for exploring the underlying physics of manipulation of photoluminescence and valley degree of freedom of monolayer MoS2 with metamaterials. It also provides the instructions for designing specific functional valleytronic devices, which is great beneficial to nanophotonics and valleytronics.

研究发现单层二硫化钼的直接带隙及谷自由度等新颖特性使其在能源电池、极薄发光器件及新型光量子器件等方面具有广阔的应用前景。如何调谐及操控单层二硫化钼的发光特性及谷自由度是纳米光电子领域和谷电子学的研究热点。 . 本项目尝试利用超材料纳米结构进行单层二硫化钼发光特性增强及谷自由度操控的研究。主要研究内容包括:建立超材料纳米结构与二硫化钼的相互作用机制,探索超材料增强二硫化钼发光特性的物理机理;利用手性超材料纳米结构调控单层二硫化钼的谷自由度,以实现单层二硫化钼圆偏振光致发光的操控。 . 本项目的顺利实施将为建立超材料与单层二硫化钼的相互作用机制和探清影响单层二硫化钼谷自由度的主要因素提供理论依据,为新型光量子器件的实现奠定坚实的基础,对纳米光子学和谷电子学的发展具有重要意义。

项目摘要

项目主要研究了利用超材料纳米结构操控单层二维材料的光致发光特性及谷自由度,旨在揭示纳米结构与二维材料间的相互作用机理。项目执行4年来,从以下几方面完成了项目的研究内容和目标。(1)建立了超材料纳米结构光谱及近场电磁场分布特征的仿真模型,特别从点群理论出发建立了旋转对称纳米结构的高阶光学谐振模式和旋转对称性之间的关系,为用于单层二硫化钼超材料发光特性及谷自由度操控纳米结构的设计提供了理论基础。(2)制备了非手性超材料纳米结构,并用于单层二硫化钼发光特性的操控,表征了超材料纳米结构对单层二硫化钼光致发光的增强效果;制备了二维和三维的手性超表面,并用于单层二硫化钼谷自由度的操控,并表征了其在左旋和右旋圆偏振光入射条件下,不同的光致发光响应。(3)通过测试分析时分辨光致发光谱、电磁场仿真结合远场辐射衰减率模型,阐明了纳米结构表面等离激元与单层二维材料激子间的耦合机理。(4)通过自组装的方式制备了三维光子晶体,并揭示了三维光子晶体带隙、局域增强电场和光子态密度对单层二硫化钼发光的影响,实现了光子——激子之间的强耦合(strong photon-exciton coupling);并实现了利用机械外力进行调谐三维光子晶体带隙并调控单层二硫化钼发光的超薄动态发光器件。(5)项目还研究了利用超材料纳米结构操控单层二硫化钼的非线性光学效应,利用深度学习进行适用于单层二硫化钼发光特性操控超材料纳米结构的设计等工作。项目的研究成果为实现超薄的微型动态发光器件和超高清动态显示器件等提供了实验基础和理论依据。

项目成果
{{index+1}}

{{i.achievement_title}}

{{i.achievement_title}}

DOI:{{i.doi}}
发表时间:{{i.publish_year}}

暂无此项成果

数据更新时间:2023-05-31

其他相关文献

1

一种光、电驱动的生物炭/硬脂酸复合相变材料的制备及其性能

一种光、电驱动的生物炭/硬脂酸复合相变材料的制备及其性能

DOI:10.16085/j.issn.1000-6613.2022-0221
发表时间:2022
2

农超对接模式中利益分配问题研究

农超对接模式中利益分配问题研究

DOI:10.16517/j.cnki.cn12-1034/f.2015.03.030
发表时间:2015
3

正交异性钢桥面板纵肋-面板疲劳开裂的CFRP加固研究

正交异性钢桥面板纵肋-面板疲劳开裂的CFRP加固研究

DOI:10.19713/j.cnki.43-1423/u.t20201185
发表时间:2021
4

小跨高比钢板- 混凝土组合连梁抗剪承载力计算方法研究

小跨高比钢板- 混凝土组合连梁抗剪承载力计算方法研究

DOI:10.19701/j.jzjg.2015.15.012
发表时间:2015
5

栓接U肋钢箱梁考虑对接偏差的疲劳性能及改进方法研究

栓接U肋钢箱梁考虑对接偏差的疲劳性能及改进方法研究

DOI:10.3969/j.issn.1002-0268.2020.03.007
发表时间:2020

刘海龙的其他基金

批准号:41776030
批准年份:2017
资助金额:71.00
项目类别:面上项目
批准号:81902975
批准年份:2019
资助金额:20.50
项目类别:青年科学基金项目
批准号:51478233
批准年份:2014
资助金额:78.00
项目类别:面上项目
批准号:71873088
批准年份:2018
资助金额:49.00
项目类别:面上项目
批准号:41275084
批准年份:2012
资助金额:80.00
项目类别:面上项目
批准号:41023002
批准年份:2010
资助金额:200.00
项目类别:专项基金项目
批准号:70773076
批准年份:2007
资助金额:21.00
项目类别:面上项目
批准号:61502390
批准年份:2015
资助金额:20.00
项目类别:青年科学基金项目
批准号:70471025
批准年份:2004
资助金额:16.00
项目类别:面上项目
批准号:61007005
批准年份:2010
资助金额:22.00
项目类别:青年科学基金项目
批准号:41075059
批准年份:2010
资助金额:48.00
项目类别:面上项目
批准号:70173031
批准年份:2001
资助金额:13.00
项目类别:面上项目
批准号:51078215
批准年份:2010
资助金额:30.00
项目类别:面上项目
批准号:51506078
批准年份:2015
资助金额:21.00
项目类别:青年科学基金项目
批准号:71103106
批准年份:2011
资助金额:17.00
项目类别:青年科学基金项目
批准号:51876086
批准年份:2018
资助金额:58.00
项目类别:面上项目
批准号:41576025
批准年份:2015
资助金额:73.00
项目类别:面上项目
批准号:81101165
批准年份:2011
资助金额:23.00
项目类别:青年科学基金项目
批准号:31671414
批准年份:2016
资助金额:60.00
项目类别:面上项目
批准号:71273169
批准年份:2012
资助金额:56.00
项目类别:面上项目
批准号:81402295
批准年份:2014
资助金额:23.00
项目类别:青年科学基金项目
批准号:40775054
批准年份:2007
资助金额:40.00
项目类别:面上项目
批准号:50608043
批准年份:2006
资助金额:25.00
项目类别:青年科学基金项目
批准号:40405017
批准年份:2004
资助金额:27.00
项目类别:青年科学基金项目
批准号:51179099
批准年份:2011
资助金额:59.00
项目类别:面上项目
批准号:41776019
批准年份:2017
资助金额:73.00
项目类别:面上项目

相似国自然基金

1

磁性衬底调控单层二硫化钼系列材料的谷极化性能

批准号:61575094
批准年份:2015
负责人:程迎春
学科分类:F0509
资助金额:63.00
项目类别:面上项目
2

基于单层二硫化钼的谷超导电子学研究

批准号:11504005
批准年份:2015
负责人:白春旭
学科分类:A2003
资助金额:20.00
项目类别:青年科学基金项目
3

单层二硫化钼中谷自由度的调控和输运研究

批准号:11604235
批准年份:2016
负责人:徐利春
学科分类:A2014
资助金额:18.00
项目类别:青年科学基金项目
4

单层二硫化钼边界特性的研究

批准号:11404272
批准年份:2014
负责人:詹达
学科分类:A2002
资助金额:25.00
项目类别:青年科学基金项目