研究磁隧道结的内禀磁电性质、低温隧道谱和非弹性磁激子激发和声子激发等重要物理问题,探索磁隧道结中磁激子激发和声子激发的物理本质和规律,改进和发展磁隧道结中的自旋极化电子的隧穿和输运理论,为进一步发展用于计算机TMR读出头和MRAM等器件的磁隧道结材料器件解决一些重要基础理论问题。
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数据更新时间:2023-05-31
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